MDPspot 单点少子寿命测试仪

MDPspot仪器综合介绍

MDPspot少子寿命测试仪采用微波探测光电导率衰减法检测材料的有效少子寿命，具有非接触、无损、快速、准确、适用范围广、操作简便、重复性好以及多功能性等显著优势。这些优势使得MDPspot仪器成为半导体和光伏材料研究、开发及应用领域不可或缺的重要工具。
一、仪器详细参数 

 1.1 MDPspot基本系统

 用于生产和研究实验室应用的MDPspot（微波探测光电导少子寿命测试仪）系统。全自动设备，以非接触、无破坏方式绘制材料的电输运特性（例如少数载流子寿命、光电导率和电阻率）。MDPspot设备能够应用于各种不同材料和制备阶段的测量，范围从原料、裸晶圆到不同的制备阶段。检测单晶硅和多晶硅中的污染物和电活性晶体缺陷是标准应用测试，也可用于多化合物半导体SiC、GaN、Si、GaAs等材料的表征。瞬态µPCD和稳态MDP测量选项是否可用，具体取决于激光选择。同时具备瞬态µPCD和稳态MDP测量（取决于激光器选择）。
单点能力：（取决于所选项）

• 少数载流子寿命(τ)
• 光电导率 (P)
• 电阻率选配 (选配)

 1.2 样品特征：

• 样品几何形状：5 ´5 mm至晶块样品；
• 晶块尺寸：125 ´125、156 ´156 mm、230 ´230 mm，长度在80至500 mm之间；
• 晶片几何形状：10 ´10 mm至12英寸(直径300 mm)，方形晶片、圆形晶片或任意几何形状，厚度 10 µm 至 156 mm，手动高度调节，手动装载

 1.3 少子寿命测量：

• p型和n型材料均可测试
• 电阻率范围：0.1 Ωcm至1000 Ω cm以上
• 范围 20 ns ~ 20 ms（激光/激光二极管）
• 空间分辨率：无自动mapping功能，可手动mapping操作
• 光斑直径测量点在 0.8 至 1.2 mm 之间（默认设置）
• 寿命重复性：<1%
• 电阻率重复性：<1% （范围：0.5 ~ 3 Ωcm）

 1.4 激光器：

 默认激光器：

Module # ML008- 红外激光二极管 (980 nm，功率最大 100 mW)或

Module # ML011 - 红外激光二极管 (905nm，功率最大 9000 mW) µPCD，短脉冲

1.5 Module #L1207 - 个人电脑

配备显示器、键盘和鼠标，操作系统Windows 10或最新版本。

 1.6参考晶圆

提供生长的多晶硅参考晶圆（可根据要求提供其他材料）和其寿命测量协议。

 可选附加组件：

 Module # M1205 - 晶圆电阻率测量

涡流传感器-用于晶圆电阻率测量。由于设有距离相关的内部校准矩阵，传感器具有长期稳定性，无需定期重新校准。可与少子寿命同时测量。

步长≥1mm

除边：12mm

电阻率范围：0.5至5 Ω cm

晶圆厚度：180 – 250 µm

准确度：<5%

重复性：<1%（范围为0.5至3 Ω cm）

 Module # M1206 - 背景光/偏置光

测量期间，设有1个太阳光下的白光LED，光斑直径 >10 mm，用于陷阱饱和情况下的测量

 Module # M1207 - 反射测量 (MDP)

记录样品在照明下的相对反射；默认设置是980nm 附近的预校准。反射信息可用于注入浓度的计算。

步长：≥1mm

除边：10mm

准确度：<5%

重复性：<3%

 Module # M3004 – 软件扩展

包括各种软件功能，例如瞬态可视化和评估、注入水平独立测量和打印报告

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