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WCT-120 / 120MX硅片寿命测试仪

No.WCT-120 / 120MX

WCT-120 / 120MX硅片寿命测试仪

产品概述

硅片测试仪器提供了对载流子复合寿命进行校准分析的现有最佳技术,完全遵从SEMI标准PV-13。

WCT-120是放置在桌面上的硅片寿命测量系统,适用于器件研究和工业过程控制,价格实惠。WCT-120MX适用于测试230mm的更大尺寸硅片。

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WCT-120 / 120MX硅片寿命测试仪

产品概述

硅片测试仪器提供了对载流子复合寿命进行校准分析的现有最佳技术,完全遵从SEMI标准PV-13。

WCT-120是放置在桌面上的硅片寿命测量系统,适用于器件研究和工业过程控制,价格实惠。WCT-120MX适用于测试230mm的更大尺寸硅片。

产品概述:

WCT-120和WCT-120MX仪器展示了我们独特的测量和分析技术,包括Sinton Instruments公司在1994年开发的遵从SEMI标准的准稳态光电导(QSSPC)寿命测量方法。

WCT-120仪器使用QSSPC和瞬态光电导衰减技术,可以测量10ns到10ms+范围的硅片寿命。QSSPC技术适用于监测多晶硅片、掺杂扩散及低寿命样品。瞬态光电导衰减技术适用于对高寿命样品的工艺进行逐步监控。

WCT-120寿命测试也会给出隐含开路电压(随光照强度变化的)曲线,相当于在电池工艺的每个阶段都能给出一条I-V曲线。

主要应用:

-----对制造工艺进行逐步监控和优化。

其他应用:

---监测初始材料质量

---在硅片加工过程中检测重金属杂质污染

---评估表面钝化和发射极掺杂扩散

---使用隐含I-V测试,估算加工过程引起的并联电阻

项目 内容
测量参数 少子寿命、电阻率、发射极饱和电流密度、陷阱浓度、标准太阳下Voc
寿命测量范围 100nm-10ms
测量(分析)模式 QSSPC,瞬态和归一化寿命分析
电阻率测量范围 3-600(未掺杂)Ohms/sq
可得到的偏压范围 0-50suns
可得到的光谱 白光和红外光
感应范围 直径40mm
样品尺寸,标准配置 标准直径:40-230mm
硅片厚度范围 10-2000um
上海·销售+技术支持+售后服务中心
Rayscience Optoelectronic Innovation Co., Ltd 

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