MDPpro 850+硅锭、硅砖少子寿命测试仪

用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。特征直拉硅单晶硅锭中的滑移线寿命范围20ns至100ms（样品电阻率>0.3Ohmcm）SEMI标准PV9-1110

技术参数

技术规格材料单晶硅晶锭尺寸 125×125至210×210mm2，晶砖长850mm或更长晶圆尺寸直径可达300 mm 电阻率范围 0.5 – 5 ohm cm。根据要求提供其他范围导电类别 p/n 可测量的参数寿命-μPCD/MDP（QSS）、光电导率、电阻率等默认激光器 IR激光二极管（980 nm，最大500 mW）和IR激光二极管（905 nm，最大9000 mW）。可根据要求提供其他波长电力要求 100 – 250 V AC, 6 A 尺寸 (宽×高×长) 2560 × 1910 × 1440 mm 重量约200kg 认证根据ISO 9001准则制造，符合CE要求

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用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。
用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。

特征

直拉硅单晶硅锭中的滑移线

寿命范围
20 ns至100 ms（样品电阻率 > 0.3 Ohm cm）
SEMI标准
PV9-1110
测试速度
线扫描 < 30s
完整的面扫秒 < 5min
同时测量
寿命μPCD/MDP（QSS）和电阻率
直拉硅单晶硅锭中的滑移线
自动几何形状识别

含有大量缺陷的准单晶硅锭的寿命测量

G12、M10晶砖和晶圆片
应用

寿命 &电阻率面扫描
晶体生长监控（即滑移线）
污染监测
氧条纹/OSF环
p型掺杂硅的铁面扫描图
光束感应电流（LBIC）
发射极层的方阻
更多…

直拉硅单晶硅锭中的滑移线

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