产品用途：通过不同激光波长在半导体中的吸收距离和微区光电转换，可以表征
光电子器件及太阳能电池微区的短路电流分布、表层缺陷、反射率等特性参数，
并通过横向扫描（Mapping）形成图像，以反应各种参数的平面均匀性，尤其是
晶界和位错分布， 为光电子器件及太阳能电池的结构优化和工艺改进提供参考依
据。设备可应用于太阳能电池研究，GaAs、InP、GaN 光电子器件的研究。该设
备克服了大面积光照下I-V 测试与单点光谱测试的不对应性和不准确性，大大提
高了光电子器件诊断精度。
产品指标：
（1） 样品尺寸：Max 200×160 mm2，Min 1×1 mm2
（2） 激光波长：532 和 980nm，也可根据材料的光吸收系数而自行选配
（3） 激光光斑：50μm/100μm 可选
（4） 测试电流范围：1 μA–1 mA
（5） 测试模式：LBIC，LBIV，内外量子效率，反射率，扩散长度，均为
mapping成像
（6） 扫描步长：0.05、0.1、0.2、0.5、1、2、4 mm（可根据实际需要自定
义）
（7） 扫描速度：15 points/s
（8） 可进行单点或连续扫描（mapping）测试
