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薄膜测厚仪(Thin Film Measurement Systems)
薄膜测厚仪(Thin Film Measurement Systems)
No.G4FBF0187E325A
大部分半透明的或具有轻微吸收性的薄膜能够被快速、可靠的测量:
氧化物、氮化物、感光耐蚀膜、聚合物、半导体(Si, aSi,polySi)、半导体化合物(AlGaAs,InGaAs,CdTe,CIGS)、硬涂层(SiC, DLC), 聚合物涂料 (Paralene, 聚甲基丙烯酸甲酯, 聚酰胺), 薄金属薄膜等。
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MProbe 薄 膜 测 量 系 统
M p r o b e 让 你 成 为 测 量 专 家 !
大部分半透明的或具有轻微吸收性的薄膜能够被快速、可靠的测量:
氧化物、氮化物、感光耐蚀膜、聚合物、半导体(Si, aSi,polySi)、半导体化合物(AlGaAs,InGaAs,CdTe,CIGS)、硬涂层(SiC, DLC), 聚合物涂料 (Paralene, 聚甲基丙烯酸甲酯, 聚酰胺), 薄金属薄膜等。
厚度范围:
1 nm-1 mm
波长范围:
200nm -5000nm
在薄膜太阳能电池中的应用:
aSi, TCO, CIGS, CdS, CdTe-全太阳能堆栈测量
LCD, FPD应用:
ITO, 细胞间隙,聚酰胺。
光学涂层:
介质滤波器,硬涂层,防反射涂层半导体和电解质: 氧化物,氮化物, OLED堆。
实时测量和分析。各种多层次的, 高强度的,厚的, 独立和不均匀的层 。
丰富的材料库 (500多种材料) – 新材料容易增添。
支持参数化材料:
Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA 等⋯
使用灵活:
可联网在操作台桌面或现场进行研究与开发。用TCP或Modbus接口能容易的和外部系统连接。
测量参数:
厚度、光学常数、表面粗糙度。
界面友好强大:
测量和分析设置简单。背景和缩放修正,连接层和材料。
离线数据分析:
仿真和灵敏度分析,多样品测量,生产批量处理。
MProbe系统示意图
精度
0.01nm or 0.01%
精确度
0.2% or 1 nm
稳定性
0.02nm or 0.03%
光斑尺寸
标准为 3mm , 可以小到 3μm
样本大小
从 1mm 起
主要参数
模型
波长
范围光谱仪探测器/检测器/光源
厚度范围 *
VIS
400-1100 nm
分光仪 F4/Si 3600像素点/
钨-卤素光源
15 nm to 20 mm
(option:up to 50 mm)
UVVisSR
200-1100 nm
分光仪 F4/ Si CCD 3600
像素点/氘-钨卤组合式光源
3 nm to 20 mm
(option:up to 50 mm)
HRVIS
700-1000 nm
HR分光仪F4/Si 3600 像素点/
钨-卤素光源
1 mm to 400 mm
NIR
900-1700nm
传输光谱仪(TVG)
F2/512 InGaAs/钨-卤素光源
100 nm-200 mm
VISNIR
400-1700 nm
分光仪 F4 Si CCD 3600 像素点
(Vischannel);传输光谱仪(TVG)
F2/512 InGaAs
PDA( NIR channel) 钨-卤素光源
15 nm to 200 mm
UVVISNIR
200 -1700 nm
分光仪F4 Si CCD 3600
像素点(Vis频道);传输
氘-钨卤组合式光源
3 nm -200 mm
NIRScan
900nm -5000nm
扫描分光计/InGaAs/
MCT 探测器 (扫描时间 <60 秒 )
TH-SiN光源
100 nm -800 mm
XT
XT 1590nm -1650nm
传输光谱仪 (TVG)
F2/512 InGaAs/钨 -卤素光源
10 mm- 1 mm
* T, n & k 测量的厚度范围为25nm – 5um
其他配置也是可以做到,欢迎原始设备制造商咨询和定制开发项目。
对所有系统中的配件有一年的质量保证。
上海·销售+技术支持+售后服务中心
Rayscience Optoelectronic Innovation Co., Ltd
地址:
上海市闵行区总部一号都会路2338弄122号楼4楼
电话:
021-34635258 021-34635259
传真:
021-34635260
E-mail:
saleschina@rayscience.com
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