红外硅锭缺陷检测仪
No.G4DB2087EC6EBA
红外硅锭缺陷检测仪:多晶硅铸锭过程中,由于原料,参杂,坩埚及温场控制等诸多原因会造成不同程度的缺陷产生,如:SIC颗粒,隐裂,空洞,微晶等。这些缺陷的存在不能制造合格的多晶硅太阳能电池片,而且对后道切片工艺危害极大。因为SIC硬度极高,会使线据断线。硅裂的存在会使硅片掉落,甚至损坏导轮。
如何在不损伤硅块的前提下检测出这些缺陷,理论上有很多方法,如X光透视,超声波检测,红外投射等都是常用的方法,但综合考虑成本,工作环境,劳动保护,工作效率和操作便捷,红外投射的方法最合适。
国内主要的大厂都有使